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阿曼西南大学钻研生院工学钻研科生物工具人业余传授小柳光正公布了由其钻研小组促进的零碎集成技能的成绩。该技能可兑现将论理LSI、存储器、MEMS元件以及功率IC等相反品种的元件层叠成三维状的“超级芯片”。
小柳的钻研小组此前始终在开发可升高超级芯片的工艺利润和普及废品率所需的一系列技能。此次公布的成绩如次：(1)自组装技能在三维叠层畛域的利用；(2)可构成阶梯的芯片间布线技能；(3)RF元件的试制。
(1)、自组装技能用来继续三维层叠时的地位重合。该技能可以以低利润兑现芯片层叠。正常在三维层叠中，那末废品率高且叠层少，则晶圆级叠层(晶圆对晶圆)在利润上占劣势。那末废品率低或叠层多，则在晶圆下层叠芯片的芯片对晶圆、或者芯片间层叠(芯片对芯片)在利润上占劣势(图2)。对此，小柳将数千～数万枚叠层纳入钻研规模，开收回了可以使利润轻易升高的芯片对芯片层叠的利润升高的技能。
小柳的开发指标是，可以容易地对芯片层叠芯片的岁序继续对立解决。因而采纳了自组装技能。具体为，在芯片的错误叠合和接合内中中运用液体。在晶圆名义上，只对可以烦琐芯片的全体继续亲水解决，并在此处滴上液体。该液体滴到芯片上后，芯片即便错位也能依据液体的名义张力主动叠合到施行了亲水解决的全体。叠合精度由亲水解决模子的构成精度决议。另外，液体干涩后，还可继续物理接合或电气接合。利用该步骤可对立叠合多枚芯片。因而，该小组在芯片对芯片层叠的接合装置岁序中导出了对立解决(批解决)半超导体前岁序的概念。经过该步骤，理论可在200mm晶圆上对立装置多枚芯片，兑现了精度为0.4μm的地位叠合和接合。
另外，为施展对立解决的劣势，须要开发一种能将多枚芯片高效地放到芯片叠合用榫头上的步骤。此次小柳没有宣布该步骤，但示意眼前正在开发，定然可以兑现。
(2)、阶梯式布线用来晶圆上多枚芯片间的电气联接。该技能不是面向三维叠层的，而是面向同一个硅晶圆上多枚芯片间的布线。芯片侧面经过暴光工艺构成了图案。该钻研小组证实，在阶梯间距为100μm的芯片上可以构成线宽20μm的铜布线。
(3)、试制芯片是经过将RF通路模块化后兑现的。该小组经过(1)中的自组装技能在晶圆上衣置了模仿LSI、数字LSI、库容器芯片以及电感器芯片。还经过(2)中的布线技能将各芯片联接起来。其中，电感器芯片经过构成虚空普及了电感器特点。具体为，将构成线圈的绕组构造的缝隙空进去。而先前该缝隙用硅填补。
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